AO3415A

Symbol Micros: TAO3415A VBS
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBS
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: AO3415A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2534 0,1097 0,0719 0,0597 0,0562
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VBS
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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