AO3421E

Symbol Micros: TAO3421e

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 160 mOhm; 3A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3421E RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

225 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2943	0,1577	0,1228	0,1110	0,1074

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD