AO4441 UMW

Symbol Micros: TAO4441 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130mOhm; 4A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO4441 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO4441 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2622 0,1397 0,1087 0,0982 0,0951
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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