AO4485

Symbol Micros: TAO4485
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 15mOhm; 10A; 3,1 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD