AO6602

Symbol Micros: TAO6602
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
N/P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 77mOhm/170mOhm; 3,5 A/2,7 A; 1,15 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO6602G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,15W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,15W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD