AO6604 UMW
Symbol Micros:
TAO6604 UMW
Gehäuse: SOT23-6
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100mOhm/115mOhm; 3,4A/2,5A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO6604 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
Gehäuse: | SOT23-6 |
Hersteller: | UMW |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
Gehäuse: | SOT23-6 |
Hersteller: | UMW |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole