AO6604 UMW

Symbol Micros: TAO6604 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-6
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100mOhm/115mOhm; 3,4A/2,5A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO6604 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO6604 RoHS Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2368 0,1308 0,0865 0,0722 0,0678
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD