AOB290L Alpha&Omega

Symbol Micros: TAOB290L

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET 100V 18A 2.1W 3.2mΩ

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,7mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	500W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	5,7mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	500W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD