18N20-252

Symbol Micros: TAOD2210 GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Tranzystor MOSFET; N-Channel; TO252-2(DPAK); 200V; 18A; 65.8W; 160m?@10V,9A; 3V@250uA AOD2210;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 65,8W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 65,8W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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