AOD2910

Symbol Micros: TAOD2910

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 42mOhm; 31A; 53,5 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	53,5W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD2910 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

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50 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9174	0,5801	0,4575	0,4174	0,3986

Widerstand im offenen Kanal:	42mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	53,5W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD