AOD2910

Symbol Micros: TAOD2910
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 42mOhm; 31A; 53,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 53,5W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD2910 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9122 0,5768 0,4549 0,4150 0,3963
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 31A
Maximaler Leistungsverlust: 53,5W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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