AOD3N50
Symbol Micros:
TAOD3n50
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD3N50 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,3632 | 0,2002 | 0,1575 | 0,1457 | 0,1398 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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