AOD3N50

Symbol Micros: TAOD3n50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD3N50 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3611 0,1991 0,1566 0,1449 0,1391
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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