AOD3N60

Symbol Micros: TAOD3n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,5 Ohm; 2,5A; 56,8 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 56,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA Hersteller-Teilenummer: AOD3N60 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5849 0,3537 0,2712 0,2453 0,2335
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD3N60 Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2424
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 56,8W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD