AOD409
Symbol Micros:
TAOD409
Gehäuse: TO252
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 26A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,6398 | 0,4040 | 0,3199 | 0,2919 | 0,2779 |
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 26A |
Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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