AOD409

Symbol Micros: TAOD409
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Gehäuse: TO252
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P-MOSFET -18A -60V 30W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD409 RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6402 0,4019 0,3341 0,2968 0,2781
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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