AOD4130
Symbol Micros:
TAOD4130
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 30mOhm; 30A; 52W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 52W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) t/r |
Hersteller: | UMW |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 52W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) t/r |
Hersteller: | UMW |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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