AOD4130

Symbol Micros: TAOD4130
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 30mOhm; 30A; 52W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AOD4130 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,4787 0,2877 0,2266 0,2021 0,1913
Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD