AOD4130

Name: TAOD4130 c TAOD4130 c
Brand: HXY
SKU: TAOD4130c
Price: 0.1941 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TAOD4130 c

Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7 W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK) t/r
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY Hersteller-Teilenummer: AOD4130-HXY RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	40+	150+	600+
Nettopreis (EUR)	0,4858	0,2920	0,2300	0,2051	0,1941

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK) t/r
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD