AOD4130

Name: TAOD4130 c
Brand: HXY
SKU: 100
Price: 0.811000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TAOD4130 c

Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK) t/r
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY Hersteller-Teilenummer: AOD4130-HXY RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	40+	150+	600+
Nettopreis (EUR)	0,4719	0,2836	0,2234	0,1992	0,1885

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Standard-Verpackung:
150 Menge (Vielfache: 1)

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK) t/r
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD