AOD413A

Symbol Micros: TAOD413a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 66mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD413A RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
58 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3655 0,2019 0,1586 0,1469 0,1410
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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