AOD417

Symbol Micros: TAOD417

Gehäuse: DPAK

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD417 RoHS Gehäuse: DPAK t/r

Auf Lager:

235 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4811	0,2901	0,2217	0,1995	0,1927

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3372	0,2214	0,1592	0,1363	0,1297