AOD417

Symbol Micros: TAOD417
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Gehäuse: DPAK
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD417 RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,4686 0,2825 0,2159 0,1943 0,1877
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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