AOD4189

Symbol Micros: TAOD4189
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 33mOhm; 40A; 62,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD4189 RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
4061 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4905 0,2971 0,2281 0,2056 0,1957
Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD