AOD4189 JGSEMI

Symbol Micros: TAOD4189 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 45mOhm; 22A; 34,7 W; -50 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AOD4189 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: AOD4189 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3608 0,2382 0,1707 0,1462 0,1391
Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 125°C
Montage: SMD