AOD444

Symbol Micros: TAOD444
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 12A; 20W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD444 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3726 0,2453 0,1752 0,1533 0,1436
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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