AOD4N60

Symbol Micros: TAOD4n60

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2,3 Ohm; 4A; 104 W; -50 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,3Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD4N60 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2213	0,9317	0,7706	0,6749	0,6422

Widerstand im offenen Kanal:	2,3Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD