AOD4N60
Symbol Micros:
TAOD4n60
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,3Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOD4N60 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2228 | 0,9329 | 0,7716 | 0,6757 | 0,6430 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,3Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Montage: | SMD |
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