AOD4N60

Symbol Micros: TAOD4n60
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD4N60 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
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50 stk.
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Nettopreis (EUR) 1,2228 0,9329 0,7716 0,6757 0,6430
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,3Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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