AOD603A

Symbol Micros: TAOD603a
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Gehäuse: TO252/5-2
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Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42,5W
Gehäuse: TO252/5-2
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: ALPHA Hersteller-Teilenummer: AOD603A RoHS Gehäuse: TO252/5-2 Datenblatt
Auf Lager:
31 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6290 0,3951 0,3273 0,2923 0,2736
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 42,5W
Gehäuse: TO252/5-2
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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