AOD603A
Symbol Micros:
TAOD603a
Gehäuse: TO252/5-2
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42,5W |
Gehäuse: | TO252/5-2 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42,5W |
Gehäuse: | TO252/5-2 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole