AOI403

Symbol Micros: TAOI403
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251A
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 8,5 mOhm; 70A; 90W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO251A
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOI403 RoHS Gehäuse: TO251A  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8056 0,5114 0,4017 0,3666 0,3503
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO251A
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT