AONS21357

Symbol Micros: TAONS21357
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -36A; 19W; DFN5x6
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 19W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 19W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD