AONS32100

Symbol Micros: TAONS32100
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,1 mOhm; 400A; 400 W; -55 °C ~ 150 °C; Podobny do: PGN04N012HP (ma 0.68mOhm zamiast 1.1mOhm);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,1mOhm
Max. Drainstrom: 400A
Maximaler Leistungsverlust: 400W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AONS32100 RoHS Gehäuse: DFN08 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5155 1,2096 1,0345 0,9294 0,8920
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,1mOhm
Max. Drainstrom: 400A
Maximaler Leistungsverlust: 400W
Gehäuse: DFN08
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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