AONV210A60

Symbol Micros: TAONV210A60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN04(8x8) 4-PowerTSFN
aMOS5 N-Channel-Transistor; 600V; 20V; 210mOhm; 20A; 208W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: DFN04(8x8) 4-PowerTSFN
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: aMOS5
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AONV210A60 RoHS Gehäuse: DFN04(8x8) 4-PowerTSFN Datenblatt
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 9+ 30+ 93+
Nettopreis (EUR) 6,5564 6,0365 5,7397 5,5580 5,4637
Standard-Verpackung:
3
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: DFN04(8x8) 4-PowerTSFN
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: aMOS5
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD