AOT10B60D

Symbol Micros: TAOT10b60d
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 17,4nC
Maximale Verlustleistung: 163W
Max. Kollektor-Strom: 10A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,6V
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT10B60D RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
13 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3577 1,0359 0,8574 0,7517 0,7141
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 17,4nC
Maximale Verlustleistung: 163W
Max. Kollektor-Strom: 10A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,6V
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT