AOT10N60

Symbol Micros: TAOT10n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT10N60 RoHS Gehäuse: TO220  
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50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4204 1,0852 0,8977 0,7875 0,7477
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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