AOT10N65

Symbol Micros: TAOT10n65
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT10N65 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4432 1,0999 0,9107 0,7986 0,7589
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole