AOT12N60

Symbol Micros: TAOT12n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 12A; 278W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT12N60 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5342 1,0742 0,8967 0,8360 0,8080
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Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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