AOT15B60D
Symbol Micros:
TAOT15b60d
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 25,4nC |
| Maximale Verlustleistung: | 167W |
| Max. Kollektor-Strom: | 30A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOT15B60D RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7570 | 1,4023 | 1,2003 | 1,0782 | 1,0335 |
| Gate-Ladung: | 25,4nC |
| Maximale Verlustleistung: | 167W |
| Max. Kollektor-Strom: | 30A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,6V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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