AOT1N60

Symbol Micros: TAOT1n60
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 9Ohm; 1,3A; 41,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 41,7W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT1N60 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5675 0,3433 0,2639 0,2382 0,2267
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 41,7W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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