AOT424

Symbol Micros: TAOT424
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6mOhm; 110A; 100 W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT424 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1068 0,7347 0,6084 0,5499 0,5265
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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