AOT430

Symbol Micros: TAOT430
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 268W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT430 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1396 0,8700 0,7199 0,6308 0,6003
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 268W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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