AOT430
Symbol Micros:
TAOT430
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 268W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOT430 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1461 | 0,8749 | 0,7240 | 0,6344 | 0,6037 |
Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 268W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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