AOT4N60

Symbol Micros: TAOT4n60
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2,2 Ohm; 4A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT4N60 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7429 0,4711 0,3726 0,3398 0,3234
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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