AOT7N65

Symbol Micros: TAOT7n65

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 192W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,56Ohm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	192W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT7N65 RoHS Gehäuse: TO220

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12 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,2076	0,8020	0,6636	0,5979	0,5745

Widerstand im offenen Kanal:	1,56Ohm
Max. Drainstrom:	7A
Maximaler Leistungsverlust:	192W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT