AOT7N65

Symbol Micros: TAOT7n65
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 192W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,56Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT7N65 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,2145 0,8065 0,6674 0,6014 0,5778
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 1,56Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT