AOT7N65
Symbol Micros:
TAOT7n65
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 192W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,56Ohm |
Max. Drainstrom: | 7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 192W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOT7N65 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,2145 | 0,8065 | 0,6674 | 0,6014 | 0,5778 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,56Ohm |
Max. Drainstrom: | 7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 192W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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