AOTF11N70

Symbol Micros: TAOTF11n70
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 870 mOhm; 11A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 870mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF11N70 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4740 1,1249 0,9315 0,8160 0,7759
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF11N70 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4740 1,0329 0,8773 0,8018 0,7759
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 870mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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