AOTF11N70
Symbol Micros:
TAOTF11n70
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 870 mOhm; 11A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 870mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 700V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOTF11N70 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4656 | 1,0271 | 0,8723 | 0,7973 | 0,7715 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOTF11N70 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4656 | 1,1185 | 0,9262 | 0,8113 | 0,7715 |
Widerstand im offenen Kanal: | 870mOhm |
Max. Drainstrom: | 11A |
Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 700V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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