AOTF12N60

Symbol Micros: TAOTF12n60

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF12N60 RoHS Gehäuse: TO220iso

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100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5101	1,0575	0,8465	0,8231	0,7949

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT