AOTF12N65

Symbol Micros: TAOTF12n65
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 720 mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 720mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF12N65 RoHS Gehäuse: TO220iso  
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30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7456 1,2963 1,0787 1,0530 1,0272
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 720mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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