AOTF20N60

Symbol Micros: TAOTF20n60

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 370 mOhm; 20A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	370mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF20N60 RoHS Gehäuse: TO220iso

Auf Lager:

35 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,0377	1,7094	1,5195	1,4022	1,3577

Widerstand im offenen Kanal:	370mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT