AOTF20N60

Symbol Micros: TAOTF20n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 370 mOhm; 20A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 370mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF20N60 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,0494 1,7192 1,5282 1,4103 1,3655
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 370mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT