G90P04F
Symbol Micros:
TAOTF4185 GO
Gehäuse: TO220F
MOSFET-Transistor; TO-220F; P-Kanal; NO ESD; 40V; 68A; 83W; -1.5V; 10mOhm; AOTF4185;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
| Max. Drainstrom: | 68A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220F |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10mOhm |
| Max. Drainstrom: | 68A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO220F |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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