AOTF4N60

Symbol Micros: TAOTF4n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2,2 Ohm; 4A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF4N60 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8679 0,6367 0,5094 0,4386 0,4127
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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