AOTF7N65

Symbol Micros: TAOTF7n65
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,56Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N65 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2258 0,9000 0,7219 0,6188 0,5836
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N65 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2258 0,8086 0,6516 0,6188 0,5836
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Standard-Verpackung:
25/50
Widerstand im offenen Kanal: 1,56Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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