AOTF7N70

Symbol Micros: TAOTF7n70
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 1,8 Ohm; 7A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N70 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9811 0,7193 0,5778 0,4952 0,4669
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT