AOTF8N80

Symbol Micros: TAOTF8n80

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,63 Ohm; 7,4A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,63Ohm
Max. Drainstrom:	7,4A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF8N80 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

12418 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6070

Widerstand im offenen Kanal:	1,63Ohm
Max. Drainstrom:	7,4A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT