AOTL66810

Symbol Micros: TAOTL66810
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; +/-20V; 1,25 mOhm; 420A; 425 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25mOhm
Max. Drainstrom: 420A
Maximaler Leistungsverlust: 425W
Gehäuse: 8-PowerSFN
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,25mOhm
Max. Drainstrom: 420A
Maximaler Leistungsverlust: 425W
Gehäuse: 8-PowerSFN
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD