AOU2N60
Symbol Micros:
TAOU2n60
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,4 Ohm; 2A; 56,8 W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56,8W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOU2N60 RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Auf Lager:
80 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 80+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5107 | 0,3685 | 0,2659 | 0,2230 | 0,2038 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOU2N60 RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5107 | 0,3685 | 0,2659 | 0,2190 | 0,2038 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56,8W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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