AOY2610E

Symbol Micros: TAOY2610e

Gehäuse: TO251 (IPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,5 mOhm; 36,5A; 23,5 W; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	36A
Maximaler Leistungsverlust:	23,5W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	36A
Maximaler Leistungsverlust:	23,5W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT