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AP2302AGN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2302agn-hf-3

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 60mOhm; 4,6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2302AGN; AP2302AGN-HF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	4,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,38W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2302AGN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

165 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2971	0,1644	0,1092	0,0913	0,0849

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	4,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,38W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD