AP2302GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2302gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 115 mOhm; 3,2A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2302GN-HF Pbf N2L1 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2365 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2743 0,1453 0,1128 0,1041 0,0996
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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