AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2305cgn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120 mOhm; 3,2A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2305CGN-HF-3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2806 0,1531 0,1005 0,0868 0,0799
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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